Physique des semiconducteurs et des composants électroniques : cours et exercices corrigés
Enregistré dans:
| Auteur principal: | |
|---|---|
| Autres auteurs: | |
| Support: | E-Book |
| Langue: | Français |
| Publié: |
Paris :
Dunod,
2009.
|
| Collection: | Sciences sup
|
| Sujets: | |
| Autres localisations: | Voir dans le Sudoc |
| Résumé: | Cet ouvrage, qui dresse un panorama complet du domaine des semiconducteurs et des composants électroniques, s'adresse aux étudiants de Master et aux élèves ingénieurs comme aux chercheurs et ingénieurs intéressés par une description générale des composants semiconducteurs. Depuis leurs fondements jusqu'à leurs applications dans les composants, tous les phénomènes de la physique des semiconducteurs et des composants électroniques sont abordés et expliqués dans ce manuel, étape par étape, calcul par calcul, de façon détaillée et précise. Cette sixième édition actualisée tient compte des progrès techniques et de quelques effets physiques qui interviendront dans les composants de demain. La description du transistor MOS ainsi que les procédés de fabrication associés ont été complétés pour intégrer les avancées technologiques les plus récentes. Des composants nouveaux à base de nanofils et nanotubes sont introduits. Elle propose de plus des exercices et des questions sur les points les plus importants, permettant à l'étudiant d'aborder des applications plus spécifiques (diode avalanche, thyristor, CCD...). [Source : 4ème de couv.] |
| Accès en ligne: | Accès à l'E-book |
| Lien: | Collection principale:
Sciences sup |
| Résumé: | Cet ouvrage, qui dresse un panorama complet du domaine des semiconducteurs et des composants électroniques, s'adresse aux étudiants de Master et aux élèves ingénieurs comme aux chercheurs et ingénieurs intéressés par une description générale des composants semiconducteurs. Depuis leurs fondements jusqu'à leurs applications dans les composants, tous les phénomènes de la physique des semiconducteurs et des composants électroniques sont abordés et expliqués dans ce manuel, étape par étape, calcul par calcul, de façon détaillée et précise. Cette sixième édition actualisée tient compte des progrès techniques et de quelques effets physiques qui interviendront dans les composants de demain. La description du transistor MOS ainsi que les procédés de fabrication associés ont été complétés pour intégrer les avancées technologiques les plus récentes. Des composants nouveaux à base de nanofils et nanotubes sont introduits. Elle propose de plus des exercices et des questions sur les points les plus importants, permettant à l'étudiant d'aborder des applications plus spécifiques (diode avalanche, thyristor, CCD...). [Source : 4ème de couv.] |
|---|---|
| Description: | Titre provenant de l'écran d'accueil du document numérisé. La pagination de l'édition imprimée correspondante est de 852 p. La couv. porte en plus : "L3. Master. Écoles d'ingénieurs" Licence 3, Master, Écoles d'ingénieur. |
| Support: | Nécessite un logiciel permettant de lire un fichier au format PDF. |
| Bibliographie: | Bibliogr. p. [821]-822. Index. |
| ISBN: | 9782100541348 (ebook) 9782100541348 |
| Accès: | L'accès à cette ressource est réservé aux usagers des établissements qui en ont fait l'acquisition |