Les transistors prennent du relief
Enregistré dans:
| Publié dans: | Sciences et avenir No 795 |
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| Auteur principal: | |
| Support: | Article de revue |
| Publié: |
2013.
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| Sujets: | |
| Résumé: | La miniaturisation ayant atteint ses limites, des chercheurs français ont imaginé des transistors en 3D qui s'affranchissent des phénomènes parasites. |
| Lien: | Dans:
Sciences et avenir |
| Résumé: | La miniaturisation ayant atteint ses limites, des chercheurs français ont imaginé des transistors en 3D qui s'affranchissent des phénomènes parasites. |
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| Description matérielle: | p. 86. |
| ISSN: | 0036-8636 |